توسط یک پژوهشگر کشور صورت گرفت: تأیید دقت بالای نظریه تابعی چگالی برای تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه‌ها

به گزارش دیده بان علم ایران طی انجام پژوهش های سنگین در حوزه های تجربی (Experimentalٍ) و نظری(Theoretical) در طول ۴ سال گذشته در گروه فیزیک حالت جامد در دو حوزه تجربی و نظری در خصوص تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها، این دو بخش مهم از پژوهش(تجربی و نظری)، یکدیگر را تایید کردند و مقاله حاصل از این پژوهش در مجله Optik به چاپ رسید.
در بخش نظری این پژوهش، خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها به کمک نظریه تابعی چگالی و با تقریب mBJ و با نرم افزار Wien2k، شبیه سازی شدند ودر بخش تجربی این پژوهش نانولایه ترکیبات اکسید ایندیم و اثر افزودنی لانتانیم بر آن به کمک دستگاه اسپری پایرولیز واقع در آزمایشگاه پیشرفته حالت جامد واقع در دانشگاه حکیم سبزواری ساخته شدند.
تمام مراحل ساخت نمونه و آزمایشات به طور تجربی و همچنین شبیه سازی این نمونه‌ها به طور نظری در دانشگاه حکیم سبزواری توسط دکترحسین اصغر رهنما عضو هیئت علمی و دانشیارگروه فیزیک حالت جامد انجام شده است.
همچنین مقاله چاپ شده آن با عنوان: Theoretical and experimental studies of La- substituted In2O3 nano- layer via the modified Becke Johnson  (mBJ) potential در مجله Optik به چاپ رسیده است.

انتهای پیام