پژوهشگران دانشگاه تربیت مدرس موفق شدند با انجام یک طرح آزمایشگاهی، گامی مهم در جهت کاهش هزینه‌های تولید سلول‌های خورشیدی و تجاری‌سازی آنها بردارند. این نسل از سلول‌های خورشیدی از بازدهی بالاتر و قیمت پایین‌تری نسبت به سلول‌های خورشیدی سیلیکونی برخوردارند
به گزارش دیده‌بان علم ایران با توجه به لزوم دسترسی به انرژی پاک و ارزان، تولید الکتریسیته از انرژی خورشیدی توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده است. در ۵ سال اخیر نسل جدیدی از سلول‌های خورشیدی ارزان‌قیمت و پربازده شروع به رشد کرده‌اند. با توجه به قیمت پایین تمام‌شده‌ی این نسل از سلول‌های خورشیدی و همچنین آینده‌ی درخشان آن، دانشمندان بزرگی در دنیا بر روی این ساختار شگفت‌انگیز متمرکز شده‌اند.
دکتر بهرام عبدالهی‌نژند ضمن معرفی سلول‌های خورشیدی پروسکایت، در رابطه با گام‌های برداشته‌شده به‌سوی تجاری‌سازی آنها گفت: «سلول‌های خورشیدی پروسکایت به دلیل این که از مواد ارزان‌قیمت ساخته می‌شوند بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. از سوی دیگر بازدهی این نوع سلول‌های خورشیدی به میزان ۲۲٫۱ درصد رسیده و تلاش‌ها برای افزایش بازدهی آنها ادامه دارد. در طرح حاضر تلاش شده است تا با به کارگیری یک نانوماده‌ی ارزان‌قیمت در ساختار سلول‌های خورشیدی پروسکایت، این سلول‌ها به سمت تولید صنعتی و تجاری‌سازی سوق داده شوند.»
وی از اکسید مس به‌عنوان یک ماده‌ی ارزان‌قیمت یاد کرد و افزود: «استفاده از اکسید مس به‌عنوان یک ماده‌ی فراوان و بسیار مقرون‌به‌صرفه، هزینه‌ی ساخت ابزار الکترونیکی را به میزان بالایی کاهش می‌دهد. در طرح حاضر از این ماده‌ی غیر آلی به‌عنوان جایگزین مواد با انتقال‌دهنده‌های حفره‌ی آلی گران‌قیمت استفاده شده است. همچنین با استفاده از اکسید مس به‌عنوان یک انتقال‌دهنده‌ی حفره غیر آلی، موجب افزایش پایداری سلول‌های خورشیدی پروسکایت شده است.»
به گفته‌ی این محقق در این پژوهش از روش کند و پاش یونی واکنشی چرخشی به‌منظور لایه نشانی اکسید مس بر روی لایه پروسکایت استفاده شده است. این روش لایه نشانی موجب شده تا یک لایه‌ی نانوساختار بر روی سطح زیرلایه ایجاد شود. دانه‌بندی نانویی این لایه باعث می‌شود تا گاف انرژی پهن‌تر شده و همچنین قابلیت استخراج بار و پتانسیل بالاتری را ایجاد کند.»
لایه‌ی نشانده شده بر روی سطح پروسکایت یک لایه‌ی یکنواخت، متراکم و بدون عیب بوده و تأثیری مخربی بر روی ساختار زیرلایه‌ی پروسکایت نداشته است. بازده تبدیل انرژی پس از لایه نشانی به میزان بیش از ۸٫۹۳ درصد رسیده است.
این تحقیقات از همکاری دکتر بهرام عبدالهی نژند عضو هیأت علمی جهاد دانشگاهی تربیت مدرس، دکتر وحید احمدی و دکتر حمیدرضا شاهرودی، اعضای هیأت علمی دانشگاه تربیت مدرس و صبا غریب زاده دانشجوی مقطع دکترای دانشگاه تربیت مدرس صورت گرفته است.
انتهای پیام
* نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند